是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 90 ns | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,31 |
端子数量: | 40 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP40,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD29F016LGZ-B90T-LJH | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
![]() |
UPD29F016LGZ-C12B-LJH | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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UPD29F016LGZ-C12T-LJH | ETC |
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x8 Flash EEPROM |
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UPD29F016LGZ-C15B-LJH | ETC |
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x8 Flash EEPROM |
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UPD29F016LGZ-C15T-LJH | ETC |
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x8 Flash EEPROM |
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UPD29F032202ALF9-A85BX-BS2 | NEC |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 85ns, PBGA63, 11 X 7 MM, FBGA-63 |
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UPD29F032202ALF9-A85TX-BS2 | ETC |
获取价格 |
EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|BGA|63PIN|PLASTIC |
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UPD29F032202ALF9-A85TY-BS2 | ETC |
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EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|BGA|63PIN|PLASTIC |
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UPD29F032202ALF9-B85BX-BS2 | ETC |
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EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|BGA|63PIN|PLASTIC |
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UPD29F032202ALF9-B85TX-BS2 | ETC |
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