是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,31 | 端子数量: | 40 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP40,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 2.2/2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.2 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.4 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD29F016LGZ-C15B-LJH | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
UPD29F016LGZ-C15T-LJH | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
UPD29F032202ALF9-A85BX-BS2 | NEC |
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Flash, 2MX16, 85ns, PBGA63, 11 X 7 MM, FBGA-63 | |
UPD29F032202ALF9-A85TX-BS2 | ETC |
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EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|BGA|63PIN|PLASTIC | |
UPD29F032202ALF9-A85TY-BS2 | ETC |
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EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|BGA|63PIN|PLASTIC | |
UPD29F032202ALF9-B85BX-BS2 | ETC |
获取价格 |
EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|BGA|63PIN|PLASTIC | |
UPD29F032202ALF9-B85TX-BS2 | ETC |
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EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|BGA|63PIN|PLASTIC | |
UPD29F032202ALF9-B85TY-BS2 | ETC |
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EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|BGA|63PIN|PLASTIC | |
UPD29F032202ALGZ-A85BX-MJH | ETC |
获取价格 |
EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC | |
UPD29F032202ALGZ-A85TX-MJH | ETC |
获取价格 |
EEPROM|FLASH|2MX16/4MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC |