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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | TO-252, 5 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-XSSO-G5 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 6.5 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 输出电流流向： | SINK | 标称输出峰值电流： | 130 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | TO-252 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 最大供电电压： | 18 V |
| 最小供电电压： | 8 V | 标称供电电压： | 12 V |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.14 mm |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 断开时间： | 700 µs | 接通时间： | 400 µs |
| 宽度： | 6.1 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD16601 | NEC |
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MOS Integrated Circuit |
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| UPD166010T1F-E1-AY | RENESAS |
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UPD166010T1F-E1-AY |
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| UPD166011T1J | RENESAS |
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INTELLIGENT POWER DEVICE |
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| UPD166011T1J-E1-AY | RENESAS |
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INTELLIGENT POWER DEVICE |
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| UPD166013T1J | RENESAS |
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INTELLIGENT POWER DEVICE |
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| UPD166013T1J-E1-AY | RENESAS |
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INTELLIGENT POWER DEVICE |
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| UPD166015GR | RENESAS |
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MOS INTEGRATED CIRCUIT |
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| UPD166015GR-E1-AY | RENESAS |
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MOS INTEGRATED CIRCUIT |
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| UPD166015GR-E2-AY | RENESAS |
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MOS INTEGRATED CIRCUIT |
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| UPD166017T1F | RENESAS |
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INTELLIGENT POWER DEVICE |
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