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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波上/下变频器> UPC2768GR-E1
UPC2768GR-E1 PDF预览

UPC2768GR-E1

更新时间： 2024-02-23 01:33:05
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 转换器射频和微波射频上变频器射频下变频器微波上变频器微波下变频器
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
3V, 450 MHz SILICON MMIC FREQUENCY CONVERTER

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UPC2768GR-E1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SSOP20,.25Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91JESD-609代码：e0
安装特点：SURFACE MOUNT端子数量：20
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SSOP20,.25
电源：3 V射频/微波设备类型：DOWN CONVERTER
子类别：RF/Microwave Up/Down Converters最大压摆率：8.5 mA
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

UPC2768GR-E1 数据手册

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3V, 450 MHz SILICON MMIC  
FREQUENCY CONVERTER  
UPC2768GR  
INTERNAL BLOCK DIAGRAM  
FEATURES  
•
•
•
•
•
•
LOW POWER DISSIPATION  
VCC = 3 V, Icc = 7 mA  
HIGH CONVERSION GAIN  
80 dB  
20  
1
2
3
4
5
6
7
GND  
GND  
GND  
19 GND  
18 LO  
/VCO  
/VCO  
VENABLE  
CC (D/C)  
CC (IF)  
ON CHIP OSCILLATOR OR LO BUFFER:  
DC - 450 MHz  
OUTPUT LIMITING  
450 mVp-p  
RF INPUT  
RF BYPASS  
MIXER IF OUT  
IF BYPASS  
IF INPUT  
1
1
BROADBAND OPERATION  
DC - 450 MHz  
17  
16  
LO  
2
2
P
/
POWER SAVE FUNCTION  
ICC (ps) = <100 µA  
S
15  
14  
V
DESCRIPTION  
V
TheUPC2768GRisafrequencyconvertermanufacturedwith  
the NESAT III process. This product consists of an RF input  
amplifier, Gilbert cell mixer, Local Oscillator or LO buffer, IF  
amplifier, external filter port, and IF output limiting amplifier.  
The on-chip local oscillator only requires an external tank  
circuit. The power save feature enables users to minimize  
overall current consumption when dormant. This device was  
specifically designed for low-cost second IF receivers, key-  
less entry applications, security systems, GPS, and other low  
power Part 15 mobile radios.  
8
9
13  
BYPASS  
IF OUPUT  
12  
11  
N/C  
N/C  
10  
GND  
GND  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 3.0 V, TA = 25°C, ZL = ZS = 50 Ω, VENABLE 2.5 V unless otherwise specified)  
PART NUMBER  
UPC2768GR  
PACKAGE OUTLINE  
S20 (SSOP 20)  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
ICC  
Circuit Current (VENABLE ≥ 2.5 V)4  
mA  
7
(VENABLE ≤ 0.5 V)  
µA  
100  
450  
40  
fRF,fLO  
CG  
RF and LO Input Frequency Range (3 dB BW)1, fIF = 10 MHz  
Conversion Gain2, fRF = 433 MHz, fIF = 25 MHz  
Noise Figure2, fRF = 450 MHz, fIF = 10 MHz  
LO to RF Leakage3, fLO = 1 to 450 MHz  
MHz  
dB  
DC  
33  
36  
12  
NF  
dB  
Leak LO-RF  
Leak LO-IF  
GS  
dBm  
dBm  
-62  
-25  
LO to IF Leakage3, fLO = 1 to 450 MHz  
IF Amplifier Small Signal Gain fIF = 10.7 MHz  
fIF = 25.0 MHz  
dB  
dB  
40  
38  
44  
42  
47  
45  
VOUT  
PSAT  
Limiting Output Voltage, ZL = 2KΩ, fIF = 10 MHz  
mVp-p  
dBm  
450  
-20  
Saturated Output Power  
Notes:  
1. Max freq. range is -3 dB from conversion gain for RF = 50 MHz  
2. Down converter only (RFIN to mixer IFOUT).  
3. PLO = -10 dBm external, or using internal LO.  
4. Down converter and IF amp may be operated separately.  
Typical ICC for down converter is 5.5 mA (pin 15). Typical ICC  
for IF amp is 1.4 mA (pin 14).  
California Eastern Laboratories  
1234

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