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UP04113G PDF预览

UP04113G

更新时间： 2024-11-13 21:11:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 446K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F2, 6 PIN

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UP04113G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.82其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

UP04113G 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Composite Transistors  
UP04113G  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For switching/digital circuits  
ꢀFeatures  
ꢀPackage  
ꢀTwo elements incorporated into one package (Transistors with built-in resistor)  
ꢀReduction of the mounting area and assembly cost by one half  
ꢀCode  
SSMini6-F2  
ꢀPin Name  
1: Emitter (Tr1)  
2: Base (Tr1)  
ector (Tr2)  
ꢀBasic Part Number  
ꢀUNR2113 × 2  
4: Emitter (Tr2)  
5: Base (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
ꢀMg Symbol: 6S  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
ꢀInternal Connection  
–50  
V
(C1) (B2) (E2)  
6
5
4
–100  
mA  
mW  
°C  
R1  
R2  
47 kΩ  
47 kΩ  
Tr1  
Total power dissipation  
PT  
125  
Tr2  
R2  
R1  
Junction temperature  
Tj  
125  
47 kΩ  
47 kΩ  
Storage temperature  
T
s
55 to +125  
°C  
1
2
3
(E1) (B1) (C2)  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±
a
Parr  
Sym
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-bse voltage Emitter open)  
Coector-emiter voltage (Base open)  
Collecto-base cutont (Emitter open)  
Collector-emitte(Base open)  
Emitter-base cutoff cllector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
– 0.1  
µA  
µA  
mA  
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
80  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.3 mA  
– 0.25  
V
VOH  
VOL  
R1  
VCC = –5 V, VB = – 0.5 V, RL = 1 kΩ  
VCC = –5 V, VB = –3.5 V, RL = 1 kΩ  
–4.9  
V
Output voltage low-level  
– 0.2  
+30%  
1.2  
V
Input resistance  
–30%  
0.8  
47  
1.0  
80  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
Transition frequency  
VCB = –10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2007  
SJJ00404AED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UP04116 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type
UP04116G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UP04117G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UP0411M PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type
UP0411MG PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
UP0411TG PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UP04210 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type
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 		Silicon NPN epitaxial planar type
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