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UNR5217G

更新时间： 2024-01-19 04:51:36

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松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
18页	627K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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UNR5217G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.82
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UNR5217G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNR521xG Series

Silicon NPN epitaxial planar type

For digital circuits

■ Features

■ Package

•

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

Code

SMini3-F2

•

• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape

packing and magazine packing

Pin Name

1: Base

2: Emitter

3: Collector

■ Resistance by Part Number

Marking symbol (R₁)

(R₂)



■ Internal Connection

• UNR5210G

• UNR5211G

• UNR5212G

• UNR5213G

• UNR5214G

• UNR5215G

• UNR5216G

• UNR5217G

• UNR5218G

• UNR5219G

• UNR521DG

• UNR521EG

• UNR521FG

• UNR521KG

• UNR521LG

• UNR521MG

• UNR521NG

• UNR521TG

• UNR521VG

• UNR521ZG

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



R₁

R₂



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector current

I_C

P_T

T_j

100

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

°C

Publication date: June 2007

SJH00218AED

12 3 4 5 6 7...18

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