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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UNR32AF
UNR32AF PDF预览

UNR32AF

更新时间： 2024-11-16 13:15:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN

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UNR32AF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 2.12
最大集电极电流 (IC)：0.08 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

UNR32AF 数据手册

 浏览型号UNR32AF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UNR32AF的Datasheet PDF文件第3页 
Transistors with built-in Resistor  
UNR32AA  
Silicon NPN epitaxial planar transistor  
Unit: mm  
+0.05  
–0.02  
+0.05  
For digital circuits  
0.33  
0.10  
–0.02  
3
■ Features  
• Suitable for high-density mounting and downsizing of the equipment  
• Contribute to low power consumption  
+0.05  
1
2
0.23  
–0.02  
(0.40)(0.40)  
0.80 0.05  
1.20 0.05  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
5°  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
50  
50  
V
Collector current  
IC  
PT  
Tj  
80  
mA  
mW  
°C  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
100  
125  
SSSMini3-F1 Package  
Tstg  
−55 to +125  
°C  
Marking Symbol: HL  
Internal Connection  
R1 (100 kΩ)  
B
C
E
R2  
(100 kΩ)  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high level  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
50  
V
0.1  
0.5  
0.1  
µA  
µA  
mA  
ICEO  
IEBO  
hFE  
80  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.3 mA  
0.25  
V
VOH  
VOL  
R1  
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kΩ  
4.9  
V
Output voltage low level  
VCC = 5 V, VB = 5 V, RL = 1 kΩ  
0.2  
+30%  
1.25  
V
Input resistance  
−30%  
100  
1.0  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
0.75  
Transition frequency  
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
150  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2002  
SJH00079AED  
1
123

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与UNR32AF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UNR32AFG PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR32AM PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits
UNR32AMG PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR32AN PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar transistor For digital circuits
UNR32ANG PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR32AT PANASONIC

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 		SILICON NPN EQITAXIAL PLANAR TYPE
UNR32AV PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
UNR4110 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type
UNR4110(UN4110) ETC

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 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR4110|UN4110 ETC

获取价格

 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor

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