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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UNR212Y
UNR212Y PDF预览

UNR212Y

更新时间： 2024-11-05 22:41:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 177K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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UNR212Y 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-59包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1.48最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

UNR212Y 数据手册

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Transistors with built-in Resistor  
UNR212x Series (UN212x Series)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
+0.10  
–0.05  
0.40  
+0.10  
For digital circuits  
0.16  
–0.06  
3
■ Features  
• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts.  
1
2
• Mini type package allowing easy automatic insertion through tape  
(0.95) (0.95)  
packing and magazine packing  
1.9 0.1  
+0.20  
2.90  
–0.05  
■ Resistance by Part Number  
10˚  
Marking Symbol (R1)  
(R2)  
• UNR2121 (UN2121)  
• UNR2122 (UN2122)  
• UNR2123 (UN2123)  
• UNR2124 (UN2124)  
• UNR212X (UN212X)  
• UNR212Y (UN212Y)  
7A  
7B  
7C  
7D  
7I  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
10 kΩ  
2.2 kΩ  
0.27 kΩ  
3.1 kΩ  
2.2 kΩ  
4.7 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
5 kΩ  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
EIAJ: SC-59  
Mini3-G1 Package  
7Y  
4.6 kΩ  
Internal Connection  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
R1  
B
C
E
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
−50  
−50  
R2  
V
Collector current  
IC  
PT  
−500  
mA  
mW  
°C  
200  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
Conditions  
Min  
−50  
−50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
UNR212X  
IC = −10 µA, IE = 0  
IC = −2 mA, IB = 0  
VCB = −50 V, IE = 0  
V
ICBO  
−1.0  
− 0.1  
−1.0  
− 0.5  
−5  
µA  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
UNR212X  
ICEO  
VCE = −50 V, IB = 0  
VEB = −6 V, IC = 0  
µA  
Emitter-base UNR2121  
IEBO  
mA  
cutoff current UNR2122/212X/212Y  
(Collector open) UNR2123/2124  
Forward current UNR2121  
−2  
−1  
hFE  
VCE = −10 V, IC = −5 mA  
40  
50  
60  
20  
ratio UNR2122/212Y  
UNR2123/2124  
UNR212X  
transfer  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: December 2003  
SJH00008CED  
1
1234567

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与UNR212Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UNR212Y(UN212Y) ETC

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 		複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ
UNR212Y|UN212Y ETC

获取价格

 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR2-1410 TELEDYNE

获取价格

 		Highest Stability Near Temperature Independency
UNR2-1410 RIEDON

获取价格

 		Precision Foil Resistors
UNR2-14101.01OHMS0.25%3PPM VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 0.8W, 1.01ohm, 0.25% +/-Tol, -3,3ppm/Cel, 5512
UNR2-14101.07OHMS0.25%3PPM VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 0.8W, 1.07ohm, 0.25% +/-Tol, -3,3ppm/Cel, 5512
UNR2-14101.09KOHMS0.1%3PPM VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 0.8W, 1090ohm, 0.1% +/-Tol, -3,3ppm/Cel, 5512
UNR2-14101.23KOHMS0.01%3PPM VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 0.8W, 1230ohm, 0.01% +/-Tol, -3,3ppm/Cel, 5512
UNR2-14101.24KOHMS0.02%3PPM VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 0.8W, 1240ohm, 0.02% +/-Tol, -3,3ppm/Cel, 5512
UNR2-14101.27OHMS0.25%3PPM VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 0.8W, 1.27ohm, 0.25% +/-Tol, -3,3ppm/Cel, 5512

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