Datasheet > UN5115S

UN5115S

更新时间： 2024-10-03 19:26:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	235K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UN5115S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	290	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

UN5115S 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/

511D/511E/511F/511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Unit: mm

For digital circuits

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

S-Mini type package, allowing automatic insertion through tape

●

packing and magazine packing.

Resistance by Part Number

■

Marking Symbol (R₁)

(R₂)

10kΩ

22kΩ

47kΩ

—

5.1kΩ

10kΩ

—

10kΩ

22kΩ

10kΩ

4.7kΩ

47kΩ

2.2kΩ

22kΩ

●

UN5111

UN5112

UN5113

UN5114

UN5115

UN5116

UN5117

UN5118

UN5119

UN5110

UN511D

UN511E

UN511F

UN511H

UN511L

UN511M

UN511N

UN511T

UN511V

UN511Z

10kΩ

22kΩ

47kΩ

10kΩ

4.7kΩ

22kΩ

0.51Ω

1kΩ

47kΩ

4.7kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

22kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

0.2±0.1

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

EIAJ : SC–70

S–Mini Type Package

Internal Connection

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

–50

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

–50

–100

˚C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

150

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与UN5115S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN5115TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN5116	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN5116Q	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UN5116R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
UN5116S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
UN5116TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN5117	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN5117H	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN5117Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-70
UN5117R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SMINI3-

与UN5115S相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

33
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

30
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

42

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UN5115S

UN5115S 技术参数

UN5115S 数据手册

与UN5115S相关器件

与UN5115S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UN5115S

UN5115S 技术参数

UN5115S 数据手册

与UN5115S相关器件

与UN5115S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？