UN4111

更新时间： 2024-01-09 11:26:27

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
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13页	182K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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UN4111 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UN4111 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/

4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Unit: mm

For digital circuits

4.0±0.2

Features

■

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

●

New S type package, allowing supply with the radial taping.

marking

Resistance by Part Number

■

(R₁)

10kΩ

22kΩ

47kΩ

10kΩ

4.7kΩ

22kΩ

0.51kΩ

1kΩ

(R₂)

10kΩ

22kΩ

47kΩ

—

●

UN4111

UN4112

UN4113

UN4114

UN4115

UN4116

UN4117

UN4118

UN4119

UN4110

UN411D

UN411E

UN411F

UN411H

UN411L

1.27 1.27

2.54±0.15

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

New S Type Package

—

5.1kΩ

10kΩ

—

10kΩ

22kΩ

10kΩ

4.7kΩ

Internal Connection

47kΩ

4.7kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

–50

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

–50

–100

˚C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

300

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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