UN4112S

更新时间： 2024-02-01 01:55:52

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
15页	381K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UN4112S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.83	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UN4112S 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR411x Series (UN411x Series)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

4.0 0.2

2.0 ^0.2

For digital circuits

0.75 max.

■ Features

•

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

•

New S type package, allowing supply with the radial taping

■ Resistance by Part Number

(R₁)

(R₂)



+0.20

0.45

–0.10

•

UNR4110 (UN4110)

UNR4111 (UN4111)

UNR4112 (UN4112)

UNR4113 (UN4113)

UNR4114 (UN4114)

UNR4115 (UN4115)

UNR4116 (UN4116)

UNR4117 (UN4117)

UNR4118 (UN4118)

UNR4119 (UN4119)

UNR411D (UN411D)

UNR411E (UN411E)

UNR411F (UN411F)

UNR411H (UN411H)

UNR411L (UN411L)

UNR411M

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

+0.20

0.45

–0.10

(2.5) (2.5)

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



0.7 ^0.1

1: Emitter

2: Collector

3: Base

NS-B1 Package



Internal Connection

5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

R₁

R₂

UNR411N

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

−100

°C

300

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: December 2003

SJH00018DED

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与UN4112S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN4113	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN4114	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN4115	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN4115Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAK
UN4115R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAK
UN4115S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAK
UN4116	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UN4116Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAK
UN4116R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAK
UN4116S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SPAK

与UN4112S相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

7
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

7
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

9
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

9

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UN4112S

UN4112S 技术参数

UN4112S 数据手册

与UN4112S相关器件

与UN4112S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UN4112S

UN4112S 技术参数

UN4112S 数据手册

与UN4112S相关器件

与UN4112S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？