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UN4110Q

更新时间： 2024-02-25 23:43:54
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
14页 222K
描述
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK

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UN4110Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：290
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

UN4110Q 数据手册

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Transistors with built-in Resistor  
UNR4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/  
4118/4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L  
(UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/  
4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L)  
Unit: mm  
Silicon PNP epitaxial planer transistor  
4.0±0.2  
For digital circuits  
Features  
■
■
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts.  
marking  
■
New S type package, allowing supply with the radial taping.  
1
2
3
1.27 1.27  
Resistance by Part Number  
■
2.54±0.15  
(R1)  
(R2)  
10kΩ  
22kΩ  
47kΩ  
47kΩ  
—
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
UNR4111  
UNR4112  
UNR4113  
UNR4114  
UNR4115  
UNR4116  
UNR4117  
UNR4118  
UNR4119  
UNR4110  
UNR411D  
UNR411E  
UNR411F  
UNR411H  
UNR411L  
10kΩ  
22kΩ  
47kΩ  
10kΩ  
10kΩ  
4.7kΩ  
22kΩ  
0.51kΩ  
1kΩ  
47kΩ  
47kΩ  
47kΩ  
4.7kΩ  
2.2kΩ  
4.7kΩ  
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Base  
New S Type Package  
—
—
Internal Connection  
5.1kΩ  
10kΩ  
—
10kΩ  
22kΩ  
10kΩ  
10kΩ  
4.7kΩ  
C
E
R1  
B
R2  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
–50  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
–50  
V
–100  
mA  
mW  
˚C  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PT  
300  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UN4110R ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
UN4110S ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK
UN4111 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN4111Q PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1,
UN4111R PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1,
UN4112S PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1,
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