UMY1NTR

更新时间： 2024-11-04 12:48:55

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	88K
描述
Emitter common (dual transistors)

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UMY1NTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-88A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.7
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

UMY1NTR 数据手册

EMY1 / UMY1N / FMY1A

Transistors

Emitter common (dual transistors)

EMY1 / UMY1N / FMY1A

zFeatures

zExternal dimensions (Unit : mm)

1) Includes a 2SA1037AK and a 2SC2412K transistor in

a EMT or UMT or SMT package.

EMY1

( )

(

)

2) PNP and NPN transistors have common emitters.

3) Mounting cost and area can be cut in half.

1.2

1.6

Each lead has same dimensions

zStructure

ROHM

: EMT5

Epitaxial planar type

PNP / NPN silicon transistor

Abbreviated symbol : Y1

UMY1N

zEquivalent circuit

1.25

2.1

EMY1 / UMY1N

FMY1A

(3)

(4)

(5)

(3)

(2)

(1)

0.1Min.

Tr2

Each lead has same dimensions

(2)

(1)

(4)

(5)

ROHM

EIAJ

UMT5

SC-88A

Abbreviated symbol : Y1

FMY1A

zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Limits

Parameter

Symbol

Unit

−60

−50

−6

Tr2

1.6

2.8

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

VCBO

VCEO

VEBO

0.3to0.6

Each lead has same dimensions

ROHM

EIAJ

SMT5

−150

150

SC-74A

EMY1, UMY1N

Power

150 (TOTAL)^∗1

300 (TOTAL)^∗2

150

Abbreviated symbol : Y1

dissipation

FMY1A

Junction temperature

Storage temperature

°C

Tstg

−55 to +150

1 120mW per element must not be exceeded.

2 200mW per element must not be exceeded.

∗

Rev.A

1/4

12 3 4 5

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UMY1NTR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
EMY1T2R	ROHM	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

与UMY1NTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UMY1TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMY1TR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMY3N	ROHM	获取价格	Power Management(Dual Transistors)
UMY3NTL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMY3NTR	ROHM	获取价格	暂无描述
UMY3TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMY4N	ROHM	获取价格	Power management (dual transistors)
UMY4NTL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMY4TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMYM5-0300-0300	OMRON	获取价格	Safety Mat/Safety Mat Controller

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