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UM7301DR

更新时间: 2024-11-21 21:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 衰减器测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon,

UM7301DR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XRPM-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.16
其他特性:LOW DISTORTION应用:ATTENUATOR
最小击穿电压:100 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:0.7 pF
标称二极管电容:0.7 pF二极管元件材料:SILICON
最大二极管正向电阻:3 Ω二极管电阻测试电流:100 mA
二极管电阻测试频率:150 MHz二极管类型:PIN DIODE
频带:HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:O-XRPM-F2
少数载流子标称寿命:4 µs元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:6 W认证状态:Not Qualified
反向测试电压:100 V子类别:PIN Diodes
表面贴装:NO技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

UM7301DR 数据手册

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