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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.18 |
| 其他特性： | LOW DISTORTION | 应用： | ATTENUATOR |
| 最小击穿电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 0.7 pF | 标称二极管电容： | 0.7 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 最大二极管正向电阻： | 3 Ω |
| 二极管电阻测试电流： | 100 mA | 二极管电阻测试频率： | 150 MHz |
| 二极管类型： | PIN DIODE | 频带： | HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码： | O-XEMW-N2 | JESD-609代码： | e0 |
| 少数载流子标称寿命： | 4 µs | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 7.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向测试电压： | 100 V |
| 子类别： | PIN Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UM7306AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, |
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| UM7306B | MICROSEMI |
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Pin Diode, 600V V(BR), Silicon |
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| UM7306BE3 | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon, |
|
| UM7306C | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, |
|
| UM7306CR | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, |
|
| UM7306D | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UM7306DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, |
|
| UM7306DR | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, |
|
| UM7306E | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 600V V(BR), Silicon |
|
| UM7306EE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, |
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