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UM6104-1

更新时间: 2024-11-21 03:23:31
品牌 Logo 应用领域
联华电子 - UMC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 316K
描述
1K X 4 CMOS SRAM

UM6104-1 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最长访问时间:2000 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T18JESD-609代码:e0
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:18
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000003 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.005 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UM6104-1 数据手册

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