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UM61166-45

更新时间: 2024-02-23 05:44:43
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联华电子 - UMC /
页数 文件大小 规格书
8页 492K
描述
4K x 16 CMOS CACHE RAM

UM61166-45 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP40,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T40JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:16端子数量:40
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP40,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.24 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UM61166-45 数据手册

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