UM2106E

更新时间： 2024-11-25 13:15:11

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管衰减器
页数	文件大小	规格书
6页	278K
描述
Pin Diode, 600V V(BR), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UM2106E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-XAMW-F2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
其他特性：	LOW DISTORTION	应用：	ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	2.5 pF	标称二极管电容：	2.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	2 Ω
二极管电阻测试电流：	100 mA	二极管电阻测试频率：	2 MHz
二极管类型：	PIN DIODE	频带：	MEDIUM FREQUENCY TO HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	O-XAMW-F2	JESD-609代码：	e0
少数载流子标称寿命：	25 µs	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	反向测试电压：	100 V
子类别：	PIN Diodes	表面贴装：	YES
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

UM2106E 数据手册

UM2100

ATTENUATOR AND POWER PIN DIODES

2 – 30 MHz

RoHS Compliant Versions Available

KEY FEATURES

. HF band (2-30 MHz) PIN

DESCRIPTION

UM2100 Series PIN diodes are designed for transmit/receive switch

and attenuator applications in HF band (2-30MHz) and below. As

series configured switches, these long lifetime (25μs typical) diodes

can control up to 2.5 kW, CW in a 50 ohm system. In HF band,

insertion loss is less than 0.25dB and isolation is greater than 32dB

(off-state).

The UM2100 series offers the lowest distortion performance in both

transmit and receive modes. Less than 50 mA forward bias is requires

to obtain an IP3 of 60 dBm at 300 kHz with 1 watt per tone. The

forward biased resistance/reactance vs. frequency characteristics are

flat down to 10 kHz. The capacitance vs. reverse bias voltage

characteristic is flat down to 2 MHz. In attenuator configuration, the

UM2100 produces extremely low distortion at low values of attenuator

control current, and very low insertion loss (0.2dB) in the “0dB”

attenuator state.

. Long Lifetime (25μs typical)

. High Power ( 1kW, CW)

. High Isolation (32dB)

. Low Loss (0.25dB)

. Very Low Distortion

(IP3=60dBm)

. Voltage ratings to 1000 V

. RoHS compliant packaging

Available¹

(use UMX2101B, etc.)

IMPORTANT: For the most current data, consult our website: www.MICROSEMI.com

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT 25º C

(UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)

The UM2100 series of products can be

(P_D) Power

Dissapation

(W)

( Θ )Thermal

Resistance

( ^OC/W)

supplied with a RoHS compliant finish

(UMX2100) or with a 90/10 Sn/Pb finish.

Consult factory for details.

Package

Conditions

25 ^OC Pin Temperature

50V

12.5

½ in. total length to 25 ^O

Contact Free Air

2.5

25 ^OC Stud Temperature

25 ^OC End Cap Temperature

1 us pulse (Single)

18.75

APPLICATIONS/BENEFITS

. Isolated stud package available

. Surface mount package available

. Soldering temperature:

260 ^oC for 10 seconds

ALL

100KW

maximum

-65 ^OC to + 175 ^OC

Storage Temperature (T_OP

)

Operating Temperature (T_OP

)

Microsemi

Page 1

Rev: 2009-01-19

Microwave Products

75 Technology Drive, Lowell, MA. 01851, 978-442-5600, Fax: 978-937-3748

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与UM2106E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UM2106EE3	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, Silicon,
UM2106MELF-B	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 600V V(BR), Silicon,
UM2106SM	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 600V V(BR), Silicon,
UM2108	MICROSEMI	获取价格	PIN DIODE
UM2108A	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 800V V(BR), Silicon,
UM2108B	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 800V V(BR), Silicon,
UM2108BE3	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, Silicon
UM2108C	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
UM2108CR	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 800V V(BR), Silicon,
UM2108CRE3	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, Silicon,

与UM2106E相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

41
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

57

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UM2106E

UM2106E 技术参数

UM2106E 数据手册

与UM2106E相关器件

与UM2106E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UM2106E

UM2106E 技术参数

UM2106E 数据手册

与UM2106E相关器件

与UM2106E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？