Datasheet > UL6264ADK25

UL6264ADK25

更新时间： 2024-01-27 01:55:54

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	103K
描述
x8 SRAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UL6264ADK25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.85	最长访问时间：	250 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	37.1 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.1 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

UL6264ADK25 数据手册

UL6264A

Block Diagram

Memory Cell

Array

256 Rows x

256 Columns

A11

A12

A10

DQ0

DQ1

Sense Amplifier/

Write Control Logic

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

Address

Change

Detector

Clock

Generator

DQ6

DQ7

V_SS

V_CC

Truth Table

Operating Mode

DQ0 - DQ7

High-Z

Standby/not

selected

Internal Read

Read

High-Z

Data Outputs Low-Z

Data Inputs High-Z

Write

H or L

Characteristics

All voltages are referenced to V_SS= 0 V (ground).

All characteristics are valid in the power supply voltage range and in the operating temperature range specified.

Dynamic measurements are based on a rise and fall time of ≤ 5 ns, measured between 10 % and 90 % of V_I, as well as

input levels of V_IL= 0 V and V_IH= 3 V. The timing reference level of all input and output signals is 1.5 V,

with the exception of the t_dis-times, in which cases transition is measured ± 200 mV from steady-state voltage.

Maximum Ratings

Symbol

Min.

Max.

Unit

Power Supply Voltage

Input Voltage

V_CC

V_I

-0.3

V_CC+ 0.5

Output Voltage

V_O

P_D

T_a

Power Dissipation

Operating

Temperature

C-Type

G-Type

K-Type

-25

-40

°C

Storage Temperature

T_stg

-55

125

°C

December 12, 1997

123 4 5 6 7 8

下载PDF

与UL6264ADK25相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UL6264ADK50	ETC	x8 SRAM	获取价格
UL6264ASC25	ETC	x8 SRAM	获取价格
UL6264ASC50	ETC	x8 SRAM	获取价格
UL6264ASG25	ETC	x8 SRAM	获取价格
UL6264ASG50	ETC	x8 SRAM	获取价格
UL6264ASK25	ETC	x8 SRAM	获取价格