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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UGA360-2 | ETC |
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Telecommunication IC |
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| UGA510-1 | ETC |
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Telecommunication IC |
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| UGA510-2 | ETC |
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Telecommunication IC |
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| UGB0BCT | VISHAY |
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DIODE 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode |
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| UGB0CCT | VISHAY |
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DIODE 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode |
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| UGB0DCT | VISHAY |
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DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode |
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| UGB10 | VISHAY |
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Dual Ultrafast Soft Recovery Rectifiers |
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| UGB10 | MICROSEMI |
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2.3A, 10000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, MODULE-2 |
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| UGB-10 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2.3A, 10000V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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| UGB10ACT | VISHAY |
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ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER |
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意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
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