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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> UG2003-T
UG2003-T PDF预览

UG2003-T

更新时间： 2024-11-29 13:00:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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UG2003-T 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-15包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.2Is Samacsys：N
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-15
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Bright Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

UG2003-T 数据手册

 浏览型号UG2003-T的Datasheet PDF文件第2页 
UG2001 - UG2005  
2.0A ULTRA-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Diffused Junction  
Ultra-Fast Switching for High Efficiency  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
A
B
A
·
·
·
Surge Overload Rating to 60A Peak  
Low Reverse Leakage Current  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
C
D
Mechanical Data  
DO-15  
Dim  
A
Min  
25.40  
5.50  
Max  
¾
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
B
7.62  
0.889  
3.6  
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Marking: Type Number  
Weight: 0.4 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
C
0.686  
2.60  
D
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol UG2001  
UG2002  
100  
UG2003  
UG2004  
400  
UG2005  
600  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
200  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
70  
140  
2.0  
280  
420  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
@ TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
60  
A
Forward Voltage  
@ IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
1.0  
1.3  
1.7  
10  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA 25°C  
=
8.0  
mA  
100  
@ TA = 100°C  
trr  
Cj  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
50  
ns  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
20  
RqJA  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
50  
K/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Valid provided that leads are maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A. See figure 5.  
DS27009 Rev. A1-2  
1 of 2  
UG2001 - UG2005  
12

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