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UG2005

更新时间： 2024-01-24 00:38:46
品牌 Logo 应用领域
圣诺 - SENO 功效二极管
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
2.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE

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UG2005 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-15包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.56其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.075 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Bright Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

UG2005 数据手册

 浏览型号UG2005的Datasheet PDF文件第2页 
Zibo Seno Electronic Engineering Co., Ltd.  
UG2001 – UG2008  
2.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE  
Features  
!
!
!
!
!
Glass Passivated Die Construction  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
A
B
A
High Surge Current Capability  
Mechanical Data  
C
!
!
Case: Molded Plastic  
D
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.40 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
DO-15  
Dim  
A
Min  
24.5  
5.50  
0.60  
2.60  
Max  
!
!
!
!
!
—
B
7.62  
0.80  
3.60  
C
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version  
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
UG2001 UG2002 UG2003 UG2004 UG2005 UG2006 UG2007 UG2008  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
V
50  
35  
100  
70  
200  
140  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
R
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
2.0  
60  
@TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
FSM  
A
I
Forward Voltage  
@IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
1.0  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
2.0  
100  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 100°C  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
trr  
Cj  
50  
60  
75  
40  
nS  
pF  
°C  
°C  
Tj  
-55 to +150  
-55 to +150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case  
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.  
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
www.senocn.com  
UG2001 – UG2008  
1 of 2  
12

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