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UFZT792A PDF预览

UFZT792A

更新时间： 2024-02-03 05:50:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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UFZT792A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.16
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
基于收集器的最大容量：60 pF集电极-发射极最大电压：70 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：160 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

UFZT792A 数据手册

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SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
FZT792A  
FEATURES  
*
High gain and Very low saturation voltage  
C
APPLICATIONS  
Battery powered circuits  
*
E
C
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
FZT692B  
FZT792A  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-75  
Collector-Emitter Voltage  
-70  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Peak Pulse Current  
-5  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
-2  
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
= 25°C)  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-75  
-70  
-5  
-100  
-90  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
-8.5  
Cut-Off Currents  
-0.1  
-10  
V
CB=-40V  
VCB=-40V,  
amb=100°C  
µA  
µA  
T
IEBO  
-0.1  
VEB=-4V  
µA  
Saturation Voltages  
VCE(sat)  
-0.30 -0.45  
-0.30 -0.50  
-0.30 -0.50  
V
V
V
IC=-500mA, IB=-5mA*  
IC=-1A, IB=-25mA*  
IC=-2A, IB=-200mA*  
VBE(sat)  
-0.80 -0.95  
V
IC=-1A, IB=-25mA*  
3 - 250  
123

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