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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.36 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.37 V |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FZT955TA | DIODES |
功能相似  |
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS |
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| FZT955 | DIODES |
功能相似 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UFZT955TC | DIODES |
获取价格 |
4 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| UFZT956TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UFZT956TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UFZT957 | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UFZT958 | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| UFZTA14 | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| UFZTA14TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| UFZTA64 | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| UFZV10B | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UFZV11B | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode |
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