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UFZTA64

更新时间： 2024-10-01 15:55:59

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, LEAD FREE PACKAGE-4

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UFZTA64 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.41
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	20000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

UFZTA64 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR

DARLINGTON TRANSISTORS

FZTA64

ISSUE 5– MARCH 2001

✪

PARTMARKING DETAILS:

COMPLIMENTARY TYPE:

FZTA64

FZTA14

SOT223

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-30

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-10

Peak Pulse Current

-800

Continuous Collector Current

Peak Base Current

I_C

-500

I_BM

-200

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-30

I_C=-10µA, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

-30

-10

I_C=-10mA, I_B=0*

I_E=-10µA, I_C=0

V_CB=-30V, I_E=0

V_EB=-10V, I_C=0

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off

Current

-100

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

-100

-1.5

Collector-Emitter Saturation V_CE(sat)

Voltage

I_C=-100mA, I_B=-0.1mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-2.0

I_C=-100mA, I_B=-0.1mA*

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

10K

20K

IC=-10mA, V_CE=-5V

I_C=-100mA, V_CE=-5V*

Transition

Frequency

f_T

125

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-5V

f=20MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

TBA

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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