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UFZT795A PDF预览

UFZT795A

更新时间： 2024-02-12 01:42:05
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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UFZT795A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.21
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.25 V
Base Number Matches：1

UFZT795A 数据手册

 浏览型号UFZT795A的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FZT795A  
FEATURES  
*
*
140 Volt VCEO  
C
Gain of 250 at IC=0.2 Amps and very low VCE(sat)  
APPLICATIONS  
Battery powered circuits  
*
E
COMPLEMENTARY TYPE – FZT694B  
PARTMARKING DETAIL – FZT795A  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-140  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-140  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-1  
-500  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
mA  
W
°C  
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO -140  
V(BR)CEO -140  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
VCB=-100V  
VEB=-4V  
V
V
Cut-Off Currents  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.3  
-0.3  
-0.25  
V
V
V
IC=-100mA, IB=-1mA*  
IC=-200mA, IB=-5mA*  
IC=-500mA, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.95  
V
IC=-500mA, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-0.75  
V
IC=-500mA, VCE=-2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
300  
250  
100  
800  
IC=-10mA, VCE=-2V*  
IC=-200mA, VCE=-2V*  
IC=-300mA, VCE=-2V*  
Transition Frequency  
fT  
100  
MHz IC=-50mA, VCE=-5V  
f=50MHz  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cibo  
225  
15  
pF  
pF  
VEB=-0.5V, f=1MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
Cobo  
ton  
toff  
100  
1900  
ns  
ns  
IC=-100mA, IB1=-10mA  
IB2=-10mA, VCC=-50V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 253  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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