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UFZT855

更新时间： 2024-02-12 17:06:27

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	164K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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UFZT855 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.36
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz

UFZT855 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR

FZT855

ISSUE 4 - NOVEMBER 2001

✪

FEATURES

Up to 5 Amps continuous collector current, up to 10 Amp peak

Very low saturation voltage

Excellent h_FEspecified up to 10 Amps

PARTMARKING DETAIL -

COMPLEMENTARY TYPE -

FZT855

FZT955

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

250

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

150

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 4 inch square minimum

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