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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> UFT800C
UFT800C PDF预览

UFT800C

更新时间： 2024-11-15 08:24:55
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德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 127K
描述
Superfast Efficient Rectifiers - Single Diode

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UFT800C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AC包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：4.88应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

UFT800C 数据手册

 浏览型号UFT800C的Datasheet PDF文件第2页 
UFT800A ... UFT800J  
Version 2011-10-17  
UFT800A ... UFT800J  
Superfast Efficient Rectifiers – Single Diode  
Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichter – Einzeldiode  
Nominal current  
Nennstrom  
8 A  
50...600 V  
TO-220AC  
1.8 g  
10.1±0.3  
Ø 3.8±0.2  
1.2±0.2  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
4
4
4.5±0.2  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Type  
Typ  
1
3
Weight approx.  
Gewicht ca.  
2.67±0.2  
0.42±0.4  
1.3±0.1  
0.8±0.2  
1
3
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
5.08±0.1  
Standard packaging in tubes  
Standard Lieferform in Stangen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] 1)  
IF = 5 A  
< 0.9  
< 0.9  
< 0.9  
< 0.9  
< 1.15  
< 1.15  
< 1.6  
< 1.6  
IF = 8 A  
< 1.0  
UFT800A  
UFT800B  
UFT800C  
UFT800D  
UFT800F  
UFT800G  
UFT800H  
UFT800J  
50  
100  
150  
200  
300  
400  
500  
600  
50  
100  
150  
200  
300  
400  
500  
600  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.25  
< 1.25  
< 1.75  
< 1.75  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TC = 100°C  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
8 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
22 A 2)  
112/125 A  
62 A2s  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
-50...+150°C  
-50...+175°C  
Tj  
TS  
1
2
Tj = 25°C  
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
12

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