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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> UFT21150
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UFT21150

更新时间： 2024-11-09 08:24:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 212K
描述
Ultrafast Recovery Modules

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UFT21150 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-249包装说明：R-XSFM-D3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.92Is Samacsys：N
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：TO-249JESD-30 代码：R-XSFM-D3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：800 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：100 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：500 V
最大反向恢复时间：0.09 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：SOLDER LUG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

UFT21150 数据手册

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Ultrafast Recovery Modules  
UFT210, 211 & 212  
N 4 Places  
Millimeters  
A
Dim. Inches  
Max. Min.  
Min.  
Max. Notes  
50.93  
8.26  
1 2 3  
Common Cathode  
50.67  
A 1.995  
B 0.300  
C 0.495  
D 0.182  
E 0.990  
F 2.390  
2.005  
0.325  
0.505  
0.192  
1.010  
2.410  
C
E
7.62  
1
2
3
12.83  
4.88  
12.57  
4.62  
B
Dia.  
25.15  
25.65  
60.71  
61.21  
K
Q
L
1 2 3  
A=Common Anode  
G
1.500  
1.525  
0.130  
0.400  
38.10  
3.05  
---  
38.70  
3.30  
R
D
H 0.120  
---  
J
K 0.240  
L
M 0.330  
N 0.175  
P 0.035  
Q
R
10.16  
6.60  
12.95  
6.90  
4.95  
F
G
P
6.10  
12.45  
8.38  
4.45  
to Lead C  
0.260  
0.510  
0.350  
0.195  
0.045  
0.455  
0.910  
L
H
0.490  
J
Dia.  
1 2 3  
D=Doubler  
M
0.89  
11.30  
22.61  
1.14  
11.56  
23.11  
0.445  
0.890  
Notes:  
Baseplate: Nickel plated copper;  
electrically isolated  
Pins: Nickel plated copper  
TO-249  
Microsemi  
Working Peak  
Repetitive Peak  
Reverse Voltage Reverse Voltage  
Catalog Number  
UFT21010*  
UFT21015*  
UFT21020*  
Ultra Fast Recovery  
100V  
150V  
200V  
100V  
150V  
200V  
300V  
400V  
500V  
600V  
700V  
800V  
175°C Junction Temperature  
V
UFT21130* 300V  
UFT21140* 400V  
UFT21150*  
RRM 100 to 800 Volts  
Electrically isolated base  
2 X 100 Amp current rating  
ROHS Compliant  
500V  
600V  
700V  
800V  
UFT21260*  
UFT21270*  
UFT21280*  
*Add Suffix A for Common Anode, D for Doubler  
Electrical Characteristics  
UFT211  
UFT210  
200A  
100A  
130°C  
1000A  
.975V  
UFT212  
Square Wave  
Square Wave  
R
0JC = 0.64°C/W  
Average forward current per pkg  
Average forward current per leg  
Case Temperature  
Maximum surge current per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max reverse recovery time per leg  
Max peak reverse current per leg  
Max peak reverse current per leg  
Typical Junction capacitance  
F(AV)  
F(AV)  
C
FSM  
FM  
I
I
T
I
200A  
100A  
116°C  
800A  
1.25V  
200A  
100A  
110°C  
700A  
1.35V  
T
8.3ms, half sine, J = 175°C  
V
T
I
FM = 100A: J = 25°C*  
T
t
1A, 30V J = 25°C  
rr  
75ns  
90ns  
120ns  
I
I
4.0mA  
25µA  
250pF  
V
V
V
T
RM  
RM  
RRM, J = 125°C*  
T
RRM, J = 25°C  
C
T
J
700pF  
200pF  
R = 10V, J = 25°C  
*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%  
Thermal and Mechanical Characteristics  
T
-55°C to 175°C  
-55°C to 175°C  
STG  
Storage temp range  
Operating junction temp range  
T
R
J
Junction to case  
0JC  
0.64°C/W  
Max thermal resistance per leg  
Max thermal resistance per pkg  
Typical thermal resistance (greased)  
Mounting Torque  
R
0
0.32°C/W Junction to case  
JC  
R
Case to sink  
15-20 inch pounds  
2.5 ounces (71 grams) typical  
0.1°C/W  
0
CS  
Weight  
www.microsemi.com  
January, 2010 - Rev. 2  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UFT21150AE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 500V V(RRM), Silicon, TO-249,
UFT21150D MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 500V V(RRM), Silicon, TO-249, TO-249, 3 PIN
UFT21150DE3 MICROSEMI

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UFT21260A MICROSEMI

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