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UFT10120D

更新时间: 2024-02-13 19:32:44
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美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 218K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 50A, 200V V(RRM), Silicon,

UFT10120D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XSFM-T9
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-XSFM-T9JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:800 A元件数量:2
相数:1端子数量:9
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:25 µA最大反向恢复时间:0.07 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

UFT10120D 数据手册

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