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UFCJ800B PDF预览

UFCJ800B

更新时间： 2024-02-05 10:50:46
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网IOT
页数 文件大小 规格书
2页 134K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 3 PIN

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UFCJ800B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AC包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.69应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

UFCJ800B 数据手册

 浏览型号UFCJ800B的Datasheet PDF文件第2页 
UFCJ800A ... UFCJ800M  
UFCJ800A ... UFCJ800M  
Ultrafast Silicon Rectifiers – Common Cathode  
Ultraschnelle Silizium-Gleichrichter – Gemeinsame Kathode  
Version 2011-02-17  
Nominal current  
Nennstrom  
8 A  
50...1000 V  
ITO-220AC  
1.8 g  
10.1±0.3  
2.6±0.2  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Ø 3.2±0.2  
4
2
4.5±0.2  
Isolated plastic case  
Isoliertes Kunststoffgehäuse  
Type  
Typ  
1 2 3  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
2.6±0.2  
1
3
1.3  
0.7±0.2  
0.6±0.1  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
2.54±0.1  
Dimensions - Maße [mm]  
Standard packaging in tubes  
Standard Lieferform in Stangen  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] 1)  
IF = 4 A  
< 1.0  
UFCJ800A  
UFCJ800B  
UFCJ800C  
UFCJ800D  
UFCJ800F  
UFCJ800G  
UFCJ800J  
UFCJ800K  
UFCJ800M  
50  
100  
150  
200  
300  
400  
600  
800  
1000  
50  
100  
150  
200  
300  
400  
600  
800  
1000  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.25  
< 1.25  
< 1.25  
< 1.7  
< 1.7  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TC = 100°C  
TC = 100°C  
IFAV  
IFAV  
4 A 1)  
8 A 2)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFRM  
IFSM  
i2t  
20 A 3)  
100/120 A 1)  
50 A2s 1)  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
-50...+150°C  
-50...+175°C  
Tj  
TS  
1
Tj = 25°C; Per Diode – Pro Diode  
2
3
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)  
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UFCJ800C DIOTEC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 150V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, IT
UFCJ800F DIOTEC

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