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UFCX591A

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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捷特科 - ZETEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	21K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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UFCX591A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.31	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	10 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

UFCX591A 数据手册

SOT89 PNP SILICON PLANAR

FCX591A

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

PART MARKING DETAIL -

COMPLEMENTARY TYPE -

FCX491A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-5

Peak Pulse Current

-2

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

-1

-200

I_B

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

T_j:T_stg

-65 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltages

V_(BR)CBO-40

V_(BR)CEO-40

V_(BR)EBO-5

I_CBO

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

V_CB=-30V

V_EB=-4V

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-100 nA

I_EBO

Collector-Emitter Cut-Off Current I_CES

V_CES=-30V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-0.2

-0.35

-0.5

I_C=-100mA,I_B=-1mA*

I_C=-500mA I_B=-20mA*

I_C=-1A, I_B=-100mA*

Base-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Turn-on Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-1.1

-1.0

I_C=-1A, I_B=-50mA*

I_C=-1A, V_CE=-5V*

Static Forward Current Transfer

Ratio

300

250

160

I_C=-1mA,

800

I_C=-100mA*,

I_C=-500mA*, V_CE=-5V

I_C=-1A*,

I_C=-2A*,

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

150

MHz I_C=-50mA, V_CE=-10V

f=100MHz

C_obo

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for this device

For typical characteristics graphs see FMMT591A datasheet

3 - 93

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