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UF1D

更新时间： 2024-01-25 23:14:47

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WTE		二极管
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4页	47K
描述
1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE

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UF1D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.71	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.1 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10

UF1D 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

UF1A – UF1K

1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE

Features

Glass Passivated Die Construction

Ideally Suited for Automatic Assembly

Low Forward Voltage Drop, High Efficiency

Surge Overload Rating to 30A Peak

Low Power Loss

Ultra-Fast Recovery Time

Plastic Case Material has UL Flammability

Classification Rating 94V-O

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ E

SMB/DO-214AA

Mechanical Data

Dim

Min

3.30

4.06

1.91

0.152

5.08

2.13

0.051

0.76

Max

3.94

4.70

2.11

Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic

Terminals: Solder Plated, Solderable

per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Cathode Band or Cathode Notch

Marking: Type Number

Weight: 0.093 grams (approx.)

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

0.305

5.59

2.44

0.203

1.27

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

UF1A

UF1B

UF1D

UF1G

UF1J

UF1K

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

280

600

420

800

560

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current

@T_L= 100°C

1.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

FSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

V^FM

I^RM

1.0

1.4

1.7

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

500

µA

Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

t^rr

C^j

100

R^ꢀ^JL

T^j,T^STG

°C/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

-50 to +150

Note: 1. Measured with I_F= 0.5A, I_R= 1.0A, I_rr= 0.25A. See figure 5.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.

3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm²land area.

UF1A – UF1K

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