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UF1G

更新时间： 2024-02-15 00:38:30
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虹扬 - HY 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
SURFACE MOUNT HIGH EFFICIENCY (ULTRA FAST) GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

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UF1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.1 µs
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10

UF1G 数据手册

 浏览型号UF1G的Datasheet PDF文件第2页 
HS1X / UF1X SERIES  
SURFACE MOUNT  
HIGH EFFICIENCY (ULTRA FAST)  
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS  
REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts  
FORWARD CURRENT - 1.0 Ampere  
FEATURES  
SMA  
● Low cost  
● Diffused junction  
●Ultra fast switching for high efficiency  
● Low reverse leakage current  
● Low forward voltage drop  
.062(1.60)  
.055(1.40)  
.114(2.90)  
.098(2.50)  
● High current capability  
● The plastic material carries UL recognition 94V-0  
.181(4.60)  
.157(4.00)  
.012(.305)  
.006(.152)  
MECHANICAL DATA  
●Case： Molded Plastic  
.103(2.62)  
.079(2.00)  
●Polarity: lndicated by cathode band  
●Weight: 0.002 ounces,0.064 grams  
●Mounting position: Any  
.008(.203)  
.002(.051)  
.060(1.52)  
.030(0.76)  
.208(5.28)  
.188(4.80)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
HS1A  
UF1A  
50  
HS1B  
UF1B  
100  
HS1D  
UF1D  
200  
HS1G  
UF1G  
400  
HS1J  
UF1J  
600  
HS1K  
UF1K  
800  
HS1M  
UF1M  
1000  
700  
SYMBOL  
UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
35  
70  
140  
280  
420  
560  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
I(AV)  
1.0  
A
Rectified Current  
@TA=55 ℃  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)  
IFSM  
30  
A
1.0  
1.7  
Peak Forward Voltage at 1.0A DC  
VF  
IR  
1.3  
V
5.0  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25℃  
@TJ=100℃  
μA  
100  
50  
20  
75  
10  
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note2)  
Typical Thermal Resistance (Note3)  
Operating Temperature Range  
TRR  
CJ  
nS  
pF  
25  
RθJA  
TJ  
℃/W  
℃
-55 to +150  
-55 to +150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
℃
NOTES: 1.Measured with IF=0.5A,IR=1A,IRR=0.25A.  
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC  
3.Thermal resistance junction to ambient.  
~ 106 ~  
12

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