是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-5 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.52 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
应用: | EFFICIENCY | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-203AB |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 600 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最大输出电流: | 50 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UES806HR2RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, | |
UES806R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, | |
UES806RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, | |
UES806RHR2 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-2 | |
UESA05J | GULFSEMI |
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Ultra fast Plastic Power Rectifiers VOLTAGE: 600V CURRENT: 5.0A | |
UESA06J | GULFSEMI |
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Ultra fast Plastic Power Rectifiers VOLTAGE:6 | |
UESA08J | GULFSEMI |
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Ultra fast Plastic Power Rectifiers VOLTAGE: 600V CURRENT:8.0A | |
UESA10J | GULFSEMI |
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Ultra fast Plastic Power Rectifiers VOLTAGE: 600V CURRENT:10.0A | |
UESA15J | GULFSEMI |
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Ultra fast Plastic Power Rectifiers VOLTAGE: 600V CURRENT:15.0A | |
UESA16G | GULFSEMI |
获取价格 |
Ultra fast Plastic Power Rectifiers VOLTAGE: 400V CURRENT:16.0A |