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UESD3.3ST5G

更新时间: 2024-09-25 21:20:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
5页 761K
描述
113W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, 0.055 X 0.024 INCH, 0.020 INCH HEIGHT, LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC, CASE 509AA-01, 2 PIN

UESD3.3ST5G 技术参数

是否无铅:含铅生命周期:Active
包装说明:0.055 X 0.024 INCH, 0.020 INCH HEIGHT, LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC, CASE 509AA-01, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.79
Is Samacsys:N最小击穿电压:5 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
最大非重复峰值反向功率耗散:113 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.15 W认证状态:COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压:3.3 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

UESD3.3ST5G 数据手册

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