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UD0002U

更新时间： 2024-11-04 11:59:07

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合力精密电子 - UNITPOWER		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	131K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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UD0002U 数据手册

Unitpower

UD0002U

Ver 1.0

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

Super high dense cell design for low R^DS(ON)

PRODUCT SUMMARY

RDS(ON) (m

) Max

VDSS

100V

Rugged and reliable.

10A

±13 @ VGS=10V

TO-±5± and TO-±51 Package.

STU SERIE

STD SERIE

)

P K

(

)

2 2

P K

(

TO 5 AA

2 1 I

)

(

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_A=±5 C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Units

Limit

100

±±0

V_GS

T_C=±5 C

I_D

Drain Current-Continuous

T_C=70 C

I_DM

±9

-Pulsed

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

T_C=±5 C

3±

P_D

Maximum Power Dissipation

T_C=70 C

Operating Junction and Storage

Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J, T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

±.5

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

Details are subject to change without notice.

Sep,0±,±010

12 3 4 5 6 7 8

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