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UCC27511DBVR

更新时间： 2024-01-29 06:10:24
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德州仪器 - TI 驱动器栅极栅极驱动
页数 文件大小 规格书
24页 1191K
描述
Single Channel High-Speed, Low-Side Gate Driver

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UCC27511DBVR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.69Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：418357
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：DBV (R-PDSO-G6)
Samacsys Released Date：2017-06-07 19:46:01Is Samacsys：N
高边驱动器：NO接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e4
长度：2.9 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：6
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：8 A标称输出峰值电流：8 A
输出极性：TRUE AND INVERTED封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.45 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：18 V
最小供电电压：4.5 V标称供电电压：12 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：0.03 µs接通时间：0.03 µs
宽度：1.6 mmBase Number Matches：1

UCC27511DBVR 数据手册

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UCC27511  
SLUSAW9B –FEBRUARY 2012–REVISED MARCH 2012  
www.ti.com  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)  
MIN  
4.5  
-40  
0
TYP  
MAX  
18  
UNIT  
V
Supply voltage range, VDD  
12  
Operating junction temperature range  
Input voltage, IN+ and IN-  
140  
18  
°C  
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VDD = 12 V, TA = TJ = -40°C to 140°C, 1-µF capacitor from VDD to GND. Currents are positive into, negative out of the  
specified terminal.  
PARAMETER  
BIAS Currents  
TEST CONDITION  
VDD = 3.4 V  
TA = 25°C  
MIN  
TYP  
MAX UNITS  
IN+ = VDD, IN- = GND  
40  
25  
20  
100  
75  
160  
IDD(off)  
Startup current  
IN+ = IN- = GND or IN+ = IN- = VDD  
IN+ = GND, IN- = VDD  
145  
115  
µA  
60  
Under Voltage Lockout (UVLO)  
3.91  
3.70  
4.20  
4.20  
4.5  
VON  
Supply start threshold  
TA = -40°C to 140°C  
4.65  
V
Minimum operating  
voltage after supply start  
VOFF  
3.45  
0.2  
3.9  
0.3  
4.35  
0.5  
VDD_H  
Supply voltage hysteresis  
Inputs (IN+, IN-)  
Input signal high  
threshold  
Output high for IN+ pin,  
Output low for IN- pin  
VIN_H  
VIN_L  
2.2  
2.4  
Output low for IN+ pin,  
Output high for IN- pin  
V
A
Input signal low threshold  
1.0  
1.2  
1.0  
VIN_HYS Input signal hysteresis  
Source/Sink Current  
Source/sink peak  
ISRC/SNK  
CLOAD = 0.22 µF, FSW = 1 kHz  
-4/+8  
current(1)  
Outputs (OUTH, OUTL, OUT)  
VDD = 12 V  
IOUTH = -10 mA  
50  
60  
90  
130  
VDD  
VOH  
-
High output voltage  
Low output voltage  
VDD = 4.5 V  
IOUTH = -10 mA  
mV  
VDD = 12  
IOUTL = 10 mA  
5
6.5  
VOL  
VDD = 4.5 V  
IOUTL = 10 mA  
5.5  
10  
VDD = 12 V  
IOUTH = -10 mA  
5.0  
7.5  
Output pull-up  
resistance(2)  
ROH  
VDD = 4.5 V  
IOUTH = -10 mA  
5.0  
11.0  
0.650  
0.750  
Ω
VDD = 12 V  
IOUTL = 10 mA  
0.375  
0.45  
Output pull-down  
resistance  
ROL  
VDD = 4.5 V  
IOUTL = 10 mA  
(1) Ensured by Design.  
(2) ROH represents on-resistance of P-Channel MOSFET in pull-up structure of the UCC27511's output stage.  
4
Submit Documentation Feedback  
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated  
Product Folder Link(s): UCC27511  
 
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