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U430-E3 PDF预览

U430-E3

更新时间： 2024-02-21 16:55:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 67K
描述
TRANSISTOR 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-78, TO-78, 7 PIN, FET RF Small Signal

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U430-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：TO-78
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W7针数：8
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.23其他特性：LOW NOISE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTSFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-78JESD-30 代码：O-MBCY-W7
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：7
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

U430-E3 数据手册

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U430/431  
Vishay Siliconix  
TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Drain Current and Transconductance  
vs. Gate-Source Cutoff Voltage  
Gate Leakage Current  
100  
50  
10 nA  
1 nA  
T
A
= 125_C  
IDSS @ VDS = 10 V, VGS = 0 V  
@ VDS = 10 V, VGS = 0 V  
f = 1 kHz  
200 mA  
g
fs  
IG @ ID = 10 mA  
80  
60  
40  
30  
IGSS @ 125_C  
100 pA  
10 pA  
200 mA  
g
fs  
40  
20  
IDSS  
10 mA  
T
A
= 25_C  
20  
0
10  
0
1 pA  
I
@ 25_C  
GSS  
0.1 pA  
0
3
4
9
12  
15  
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
VGS(off) – Gate-Source Cutoff Voltage (V)  
VDG – Drain-Gate Voltage (V)  
On-Resistance and Output Conductance  
vs. Gate-Source Cutoff Voltage  
Common-Source Forward Transconductance  
vs. Drain Current  
100  
300  
20  
16  
12  
rDS @ I = 1 mA, V = 0 V  
VGS(off) = –3 V  
VDS = 10 V  
f = 1 kHz  
D
GS  
g
os  
@ VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 kHz  
80  
60  
40  
240  
180  
120  
60  
T
A
= –55_C  
25_C  
8
4
125_C  
r
DS  
g
os  
20  
0
0
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
0.1  
1
10  
VGS(off) – Gate-Source Cutoff Voltage (V)  
ID – Drain Current (mA)  
Transconductance vs. Gate-Source Voltage  
Transconductance vs. Gate-Source Voltage  
30  
24  
50  
40  
V
= –1.5 V  
VDS = 10 V  
f = 1 kHz  
GS(off)  
VGS(off) = –3 V  
VDS = 10 V  
f = 1 kHz  
T
A
= –55_C  
25_C  
T
A
= –55_C  
125_C  
18  
12  
6
30  
20  
10  
0
125_C  
25_C  
0
0
–0.4  
–0.8  
–1.2  
–1.6  
–2  
0
–0.6  
–1.2  
–1.8  
–2.4  
–3  
VGS – Gate-Source Voltage (V)  
VGS – Gate-Source Voltage (V)  
Document Number: 70249  
S-04031—Rev. E, 04-Jun-01  
www.vishay.com  
8-3  
1234567

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