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U431-E3

更新时间： 2024-11-11 20:10:51

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
7页	60K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET

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U431-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
FET 技术：	JUNCTION	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

U431-E3 数据手册

U430/431

Vishay Siliconix

Matched N-Channel Pairs

PRODUCT SUMMARY

Part Number V_GS(off)(V) V_(BR)GSSMin (V) g_fsMin (mS) I_GTyp (pA) jV_GS1– V_GS2j Typ (mV)

U430

U431

–1 to –4

–2 to –6

–25

–15

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Two-Chip Design

D High Slew Rate

D Tight Differential Match vs. Current

D Wideband Differential Amps

D Improved Op Amp Speed, Settling Time Accuracy D High-Speed, Temp-Compensated,

Single-Ended Input Amps

D Low Offset/Drift Voltage

D Minimum Input Error/Trimming Requirement

D High-Speed Comparators

D Low Gate Leakage: 15 pA D Insignificant Signal Loss/Error Voltage

D Impedance Converters

D Low Noise

D High System Sensitivity

D High CMRR: 75 dB

D Minimum Error with Large Input Signals

DESCRIPTION

The U430/431 are matched JFET pairs assembled in a TO-78

package. These devices offer good power gain even at

frequencies beyond 250 MHz.

The TO-78 package is available with full military processing

(see Military Information).

For similar products, see the low-noise U/SST401 series, the

high-gain 2N5911/5912, and the low-leakage U421/423 data

sheets.

TO-78

Case

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25 V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 mA

Power Dissipation :

Notes

Per Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW

Total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 _C

Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C

Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C

a. Derate 2.4 mW/_C above 25_C

b. Derate 4 mW/_C above 25_C

Document Number: 70249

S-04031—Rev. E, 04-Jun-01

www.vishay.com

8-1

12 3 4 5 6 7

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