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U1ZB330-Y

更新时间: 2024-11-26 08:27:03
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东芝 - TOSHIBA 瞬态抑制器二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS

U1ZB330-Y 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.59最大击穿电压:340 V
最小击穿电压:320 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗:5000 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-C2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:330 V
最大重复峰值反向电压:297 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED工作测试电流:0.5 mA
Base Number Matches:1

U1ZB330-Y 数据手册

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U1ZB6.8~U1ZB390  
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE  
U1ZB6.8~U1ZB390  
CONSTANT VOLTAGE REGULATION  
Unit: mm  
TRANSIENT SUPPRESSORS  
l Average Power Dissipation : P = 1.0 W  
l Zener Voltage  
: V = 6.8~390 V  
Z
l Surface Mounting Plastic Mold Package  
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
Power Dissipation  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
P
1.0  
W
°C  
°C  
Junction Temperature  
T
j
40~150  
40~150  
Storage Temperature Range  
T
stg  
JEDEC  
JEITA  
TOSHIBA  
Weight: 0.06g  
34D1A  
STANDARD SOLDERING PAD  
MARK  
1
2001-07-11  

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