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TZMC75

更新时间: 2024-11-12 22:41:51
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威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

TZMC75 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Obsolete
零件包装代码:MELF包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.58其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:75 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
最大电压容差:6.04%工作测试电流:2.5 mA
Base Number Matches:1

TZMC75 数据手册

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TZMC...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Very sharp reverse characteristic  
Low reverse current level  
Available with tighter tolerances  
Very high stability  
Low noise  
Applications  
94 9371  
Voltage stabilization  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Z–current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
mW  
mA  
C
R
300K/W  
P
V
thJA  
I
Z
P /V  
V
Z
T
175  
–65...+175  
j
T
stg  
C
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
on PC board 50mmx50mmx1.6mm  
Symbol  
R
thJA  
Value  
500  
Unit  
K/W  
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =200mA  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
1.5  
V
F
V
F
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
Document Number 85611  
Rev. 3, 01-Apr-99  
1 (6)  

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