Datasheet > TZ630N22KOF

TZ630N22KOF

更新时间： 2024-11-20 04:18:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	388K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 630000mA I(T), 2200V V(RRM)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TZ630N22KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TZ630N

Phase Control Thyristor Module

TZ630N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2200

2600

2400 V

2800 V

V_DRM,V_RRM

2200

2600

2400 V

2800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

2300

2700

2500 V

2900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

1500 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

630 A

955 A

T_C= 85°C

T_C= 52°C

25.500 A

23.000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

3.250.000 A²s

2.650.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,18 V

0,95 V

0,37 mΩ

250 mA

2,0 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3000 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,25 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

500 mA

I_L

max. 2500 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

200 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 06.03.03

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther

1/12

A 18/00

Seite/page

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TZ630N22KOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TZ630N22KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, MODULE
TZ630N24KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 630000mA I(T), 2400V V(RRM)
TZ630N24KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element, MODULE
TZ630N26KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 630000mA I(T), 2600V V(RRM)
TZ630N28KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 630000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1
TZ630N28KOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element, MODULE
TZ630N28KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element, MODULE
TZ721	ETC	获取价格	High performance tapes for all labelling applications
TZ740N	EUPEC	获取价格	Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TZ740N18KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 740000mA I(T), 1800V V(RRM)

与TZ630N22KOF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

22
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

14
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

44
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

43

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TZ630N22KOF

TZ630N22KOF 数据手册

与TZ630N22KOF相关器件

与TZ630N22KOF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TZ630N22KOF

TZ630N22KOF 数据手册

与TZ630N22KOF相关器件

与TZ630N22KOF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？