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TZ630N26KOF

更新时间： 2024-11-19 15:55:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	388K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 630000mA I(T), 2600V V(RRM)

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TZ630N26KOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
快速连接描述：	G-GR	螺丝端子的描述：	A-K
最大维持电流：	500 mA	最大漏电流：	200 mA
通态非重复峰值电流：	25500 A	最大通态电流：	630000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
重复峰值反向电压：	2600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TZ630N26KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TZ630N

Phase Control Thyristor Module

TZ630N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2200

2600

2400 V

2800 V

V_DRM,V_RRM

2200

2600

2400 V

2800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

2300

2700

2500 V

2900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

1500 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

630 A

955 A

T_C= 85°C

T_C= 52°C

25.500 A

23.000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

3.250.000 A²s

2.650.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,18 V

0,95 V

0,37 mΩ

250 mA

2,0 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3000 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,25 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

500 mA

I_L

max. 2500 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

200 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 06.03.03

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther

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