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| 无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 598K |  |
| 描述 | ||
| Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由 | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TTP130N02GT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP135N68A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP145N06A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP145N08A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP-14D | HITACHI |
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Hex Schmitt-trigger Inverters |
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| TTP150N02GT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP160N03AT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP160N03GT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP180N02GT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP18P10AT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
电感耐压值及其与电感大小的关系
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