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TTP120N04AT

更新时间： 2024-03-03 10:10:24
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP 栅
页数 文件大小 规格书
7页 598K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由

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TTP120N04AT  
Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.  
Electrical Characteristics(TJ =25ºC unless otherwise noted)  
Value  
Typ  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Units  
Min  
Max  
STATIC PARAMETERS  
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage  
ID =250µA,VGS =0V  
VDS =40V, VGS =0V  
40  
V
TJ =25ºC  
1
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
μA  
TJ =100ºC  
25  
IGSS  
Gate-Body Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
VDS =0V, VGS =±20V  
VDS =VGS, ID =250µA  
VGS =10V, ID =30A  
VGS =4.5V, ID =30A  
VDS =10V, ID =20A  
±100  
2.4  
nA  
V
VGS(th)  
1
1.7  
2.7  
3.5  
mΩ  
mΩ  
S
RDS(ON)  
Static Drain-Source On-Resistance  
3.6  
4.7  
gFS  
VSD  
IS  
Forward Transconductance  
36.4  
Diode Forward Voltage  
IS =30A, VGS =0V  
1
V
B
Maximum Body-Diode Continuous Current  
105  
A
DYNAMIC PARAMETERS  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
5331  
987  
Output Capacitance  
VGS =0V, VDS =20V, f =1MHZ  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
378  
SWITCHING PARAMETERS  
Qg(10V)  
Qgs  
Qgd  
tD(on)  
tr  
Total Gate Charge  
132  
23  
23  
27  
11  
Gate Source Charge  
VGS =10V,VDS =20V, ID =60A  
nC  
ns  
Gate Drain Charge  
Turn-On Delay Time  
Turn-On Rise Time  
VGS =10V,VDS =20V, ID =60A,  
RG =3Ω  
TD(off)  
tf  
Turn-Off Delay Time  
83  
14  
66  
73  
Turn-Off Fall Time  
trr  
Body Diode Reverse Recovery Time  
Body Diode Reverse Recovery Charge  
ns  
IF =20A, di/dt =100A/μs  
Qrr  
nC  
A. Single pulse width limited by maximum junction temperature.  
B. The maximum current rating is package limited.  
C. The power dissipation PD is based on TJ(MAX) =175ºC , using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in setting  
the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used.  
V1.0  
www.tsinghuaicwx.com  
2
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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