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TTP115N08A

更新时间： 2024-04-09 18:59:20

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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
10页	805K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTP115N08A 数据手册

TTB115N08A,TTP115N08A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

TO-263(集佳)

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

1...4 5 678 9 10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TTP115N08AA	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP115N68A	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
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