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| 无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 635K |  |
| 描述 | ||
| Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由 | ||
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TTP105N06A | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP105N08A | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP108N08A | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP110N03GT | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTP112-ADA | TTELEC | CONTINUOUS TOUCH DIMMER FOR DC LED LIGHTING |
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| TTP112-BOB | TTELEC | CONTINUOUS TOUCH DIMMER FOR DC LED LIGHTING |
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