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TTP100N04AT

更新时间： 2024-04-09 19:02:56

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
8页	635K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTP100N04AT 数据手册

TTP100N04AT

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

0.5

2.5

V_GS= 10V

I_D= 20A

I_D= 250µA

1.5

-0.5

-1

0.5

-1.5

-50

-25

100 125 150

-50

-25

100 125 150

Temperature(ºC)

Figure 7: On-Resistance vs. Junction Temperature

Temperature(ºC)

Figure 8: Vgs(th) vs. Junction Temperature

10¹

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

10⁰

t_p= 10us

t_p= 100us

t_p= 1ms

t_p= 10ms

10^-2

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

Single Pulse

10^-1

10^-2

10^-3

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10^-6

10¹

10²

10^-2

10^-1

10⁰

Pulse Width (s)

V_DS(Volts)

Figure 11: Normalized Transient Thermal Resistance

Figure 12: Safe Operating Area

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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