是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | RADIAL LEADED |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.68 | 其他特性: | OHMS RATIO IS 3 |
最大截止频率: | 200 MHz | 最小截止频率: | 0.05 MHz |
高度: | 5.842 mm | 插入损耗: | 3 dB |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 7.62 mm |
安装特点: | THROUGH HOLE MOUNTED | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 物理尺寸: | 7.62mm X 6.858mm X 5.842mm |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
变压器类型: | RF TRANSFORMER | 宽度: | 6.858 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TT4-1-W38+ | MINI |
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RF Transformer, 0.05MHz Min, 200MHz Max, RADIAL LEADED | |
TT4-1-X65 | MINI |
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RF Transformer, 0.05MHz Min, 200MHz Max, 1:1.732, RADIAL LEADED | |
TT4-1-X65+ | MINI |
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RF Transformer | |
TT420MOV | MDE |
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High Energy Thermally Protected TTxxxMOV VOLTAGE-150 to 690 Volts AC Integrated Transient | |
TT425N | EUPEC |
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Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module | |
TT425N10KOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 425000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E | |
TT425N12KOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 425000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E | |
TT425N12KOFHPSA2 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MODULE- | |
TT425N14KOF | ETC |
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Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module | |
TT425N14KOF | INFINEON |
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Thyristor/Thyristor 60 mm Power Block 1400 V, |